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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPB081N06L3 G 

产品描述

MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A

内部编号

173-IPB081N06L3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:1978
1+¥8.1369
10+¥6.9745
100+¥5.3539
500+¥4.7317
1000+¥3.7402
2000+¥3.3026
5000+¥3.2411
10000+¥3.1795
25000+¥2.9812
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:612
1+¥9.8425
10+¥8.7693
100+¥6.8389
500+¥5.6497
最小起订量:1
美国费城
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#3

数量:245
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPB081N06L3 G产品详细规格

规格书 IPB081N06L3 G datasheet 规格书
IPx081,84N06L3 G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 50A
Rds(最大)@ ID,VGS 8.1 mOhm @ 50A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 34µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 29nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4900pF @ 30V
功率 - 最大 79W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-2
包装材料 Tape & Reel (TR)

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